Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQP13N06L
FQP13N06L

FQP13N06L ON Semiconductor

fqp13n06l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP13N06L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQP13N06L за ціною від 44.05 грн до 54.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP13N06L FQP13N06L Fairchild Semiconductor FAIRS45794-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 32918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L FQP13N06L ON Semiconductor fqp13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 32442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
645+54.76 грн
1000+50.50 грн
10000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 645 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L FQP13N06L ONSEMI 1783741.pdf Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L FAIRS45794-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP13N06L
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 32918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
464+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L fqp13n06l-d.pdf
FQP13N06L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 32442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
645+54.76 грн
1000+50.50 грн
10000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 645 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L 1783741.pdf
FQP13N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.