FQP13N10L ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQP13N10L ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQP13N10L

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
FQP13N10L	onsemi	Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FQP13N10L	onsemi	MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FQP13N10L	ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
FQP13N10L	ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.