
FQP14N30 ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP14N30 ON Semiconductor / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 147W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 40nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 57.6A, Case: TO220AB, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 9.1A, On-state resistance: 0.29Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQP14N30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 147W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 57.6A Case: TO220AB Drain-source voltage: 300V Drain current: 9.1A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQP14N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 147W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 57.6A Case: TO220AB Drain-source voltage: 300V Drain current: 9.1A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |