Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP17N08
FQP17N08

FQP17N08 Fairchild Semiconductor

FAIRS13769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
888+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP17N08 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP17N08 за ціною від 38.76 грн до 42.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP17N08 Виробник : ON Semiconductor FAIRS13769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP17N08.pdf FQP17N08
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
842+42.04 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 842
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08 FQP17N08 Виробник : onsemi FQP17N08.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08 FQP17N08 Виробник : onsemi FAIRS13769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP17N08.pdf MOSFETs 80V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.