FQP17N08L Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 650+ | 33.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP17N08L Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQP17N08L за ціною від 52.98 грн до 57.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP17N08L | Виробник : ON Semiconductor |
FQP17N08L |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FQP17N08L | Виробник : ON Semiconductor |
FQP17N08L |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
FQP17N08L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
FQP17N08L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level |
товару немає в наявності |

