FQP17N08L

FQP17N08L Fairchild Semiconductor


FAIRS20396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
650+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 650
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP17N08L Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP17N08L за ціною від 46.32 грн до 46.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP17N08L Виробник : ONSEMI FAIRS20396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQP17N08L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
781+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 781
FQP17N08L FQP17N08L Виробник : onsemi FQP17N08L.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній