FQP17P06 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 117+ | 110.52 грн |
| 129+ | 100.68 грн |
| 133+ | 97.08 грн |
| 500+ | 77.06 грн |
| 1000+ | 64.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP17P06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQP17P06 за ціною від 52.91 грн до 187.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP17P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP17P06 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 14946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQP17P06 Код товару: 126278
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |