
FQP17P06 ONSEMI

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 83.60 грн |
100+ | 74.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP17P06 ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQP17P06 за ціною від 52.77 грн до 113.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP17P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 18575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP17P06 Код товару: 126278
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQP17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |