Продукція > ONSEMI > FQP17P06
FQP17P06

FQP17P06 ONSEMI

FQP17P06.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 79W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP17P06 ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQP17P06 за ціною від 58.27 грн до 196.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : ONSEMI FQP17P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : ON Semiconductor fqp17p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+108.26 грн
129+98.62 грн
133+95.09 грн
500+75.48 грн
1000+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : ON Semiconductor fqp17p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.12 грн
50+106.69 грн
100+102.88 грн
500+81.66 грн
1000+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : ONSEMI 2304022.pdf Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.73 грн
10+92.27 грн
100+87.79 грн
500+74.03 грн
1000+67.42 грн
5000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : onsemi FQP17P06-D.PDF MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 16476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.99 грн
10+90.00 грн
100+72.11 грн
500+62.45 грн
1000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : onsemi fqp17p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.09 грн
50+93.00 грн
100+83.68 грн
500+63.20 грн
1000+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06
Код товару: 126278
Додати до обраних Обраний товар

fqp17p06-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : ON Semiconductor fqp17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 Виробник : ON Semiconductor fqp17p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.