Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQP19N20C
FQP19N20C

FQP19N20C ON Semiconductor

fqpf19n20c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
375+94.51 грн
500+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP19N20C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 139W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції FQP19N20C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP19N20C FQP19N20C ONSEMI ONSM-S-A0003585108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 139W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20C ONSM-S-A0003585108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP19N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 139W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.