Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQP27N25
FQP27N25

FQP27N25 ON Semiconductor

fqp27n25-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+120.86 грн
2000+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP27N25 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції FQP27N25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP27N25 FQP27N25 onsemi fqp27n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 FQP27N25 onsemi / Fairchild FQP27N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 ONSEMI 2907435.pdf Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 fqp27n25-d.pdf
FQP27N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 FQP27N25-D.pdf
FQP27N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 2907435.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.