Інші пропозиції FQP27P06 за ціною від 69.18 грн до 385.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP27P06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQP27P06 | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 536 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQP27P06 | onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 11832 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 8904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP27P06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 120W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 5498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 110.32 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 153.58 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 180.91 грн |
| 250+ | 163.03 грн |
| 500+ | 141.82 грн |
| 1000+ | 130.29 грн |
| 2500+ | 119.65 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 191.45 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 191.97 грн |
| 5+ | 137.82 грн |
| 10+ | 113.06 грн |
| 11+ | 91.61 грн |
| 29+ | 86.65 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 11832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 247.43 грн |
| 10+ | 157.27 грн |
| 100+ | 95.07 грн |
| 500+ | 78.98 грн |
| 1000+ | 72.99 грн |
| 2500+ | 69.18 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.59 грн |
| 10+ | 173.43 грн |
| 50+ | 134.19 грн |
| 100+ | 114.05 грн |
| 500+ | 93.25 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 384.20 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 385.88 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






