FQP27P06

FQP27P06 ON Semiconductor


fqp27p06-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+98.86 грн
100+90.86 грн
500+75.82 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP27P06 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQP27P06 за ціною від 29.09 грн до 244.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : UMW 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+70.12 грн
100+46.88 грн
500+34.63 грн
1000+31.62 грн
2000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+124.78 грн
250+113.14 грн
500+104.16 грн
1000+90.14 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : onsemi fqp27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 24489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.22 грн
50+97.57 грн
100+87.94 грн
500+66.68 грн
1000+60.15 грн
2000+57.30 грн
5000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.85 грн
10+148.67 грн
11+85.06 грн
30+80.47 грн
250+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : onsemi / Fairchild fqp27p06-d.pdf 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.13 грн
10+177.67 грн
50+100.79 грн
100+91.22 грн
500+73.42 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : ONSEMI fqp27p06-d.pdf 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 17539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.65 грн
10+188.16 грн
100+102.34 грн
500+76.63 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.61 грн
10+185.26 грн
11+102.08 грн
30+96.56 грн
250+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 Виробник : ON-Semicoductor fqp27p06-d.pdf 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+135.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06
Код товару: 197511
Додати до обраних Обраний товар

fqp27p06-d.pdf 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 Виробник : ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.