
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 113.46 грн |
10+ | 101.59 грн |
100+ | 68.30 грн |
500+ | 56.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP2N40-F080 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP2N40-F080
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP2N40-F080 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
FQP2N40-F080 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FQP2N40-F080 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |