
FQP30N06L ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 174.96 грн |
10+ | 138.65 грн |
100+ | 111.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP30N06L ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції FQP30N06L за ціною від 37.31 грн до 37.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP30N06L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
FQP30N06L | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FQP30N06L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FQP30N06L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FQP30N06L | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |