FQP32N20C ON Semiconductor
на замовлення 9727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 134.23 грн |
| 10+ | 124.35 грн |
| 25+ | 120.85 грн |
| 100+ | 106.20 грн |
| 250+ | 97.39 грн |
| 500+ | 90.02 грн |
| 1000+ | 83.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP32N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 28, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQP32N20C за ціною від 111.15 грн до 276.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQP32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQP32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQP32N20C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQP32N20C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 28 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 156 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 156 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQP32N20C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FQP32N20C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17.8A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FQP32N20C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FQP32N20C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17.8A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |