Технічний опис FQP32N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 28, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQP32N20C за ціною від 134.11 грн до 166.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
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FQP32N20C | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP32N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 28 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 156 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 156 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQP32N20C |
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Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 166.19 грн |
| 500+ | 156.76 грн |
| 1000+ | 148.51 грн |
| 10000+ | 134.11 грн |
| FQP32N20C |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)