FQP33N10 Fairchild
Код товару: 30515
Виробник: FairchildКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,052 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/38
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FQP33N10 за ціною від 86.72 грн до 157.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP33N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 27096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FQP33N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 27100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FQP33N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FQP33N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FQP33N10 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 127 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQP33N10 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FQP33N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQP33N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQP33N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Флюс BGA FVS-NC 2мл (безвідмивний) (FVS-BGA-NC) Код товару: 130642
Додати до обраних
Обраний товар
|
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Неактивний флюс-гель для монтажних і ремонтних робіт в області електроніки без відмивання залишків після пайки. Не містить галогенів. Незамінний для пайки BGA, реболлінгу і звичайної пайки за допомогою ІЧ-станції, фена або паяльника, підходить для свинцевих і безсвинцевих припоїв. При 25 ° C флюс густий, легко наноситься. Залишки флюса, утворюють полімерну ізоляційну плівку, яка є додатковим захистом місця пайки від окислення. Флюс використовується для пайки мідних, залужених та інших контактів радіодеталей. Робоча температура флюса 180-300 ° C.
Вага/Об’єм/К-сть: 2 ml
Пасте-гель
Категорія: Флюс
Опис: Неактивний флюс-гель для монтажних і ремонтних робіт в області електроніки без відмивання залишків після пайки. Не містить галогенів. Незамінний для пайки BGA, реболлінгу і звичайної пайки за допомогою ІЧ-станції, фена або паяльника, підходить для свинцевих і безсвинцевих припоїв. При 25 ° C флюс густий, легко наноситься. Залишки флюса, утворюють полімерну ізоляційну плівку, яка є додатковим захистом місця пайки від окислення. Флюс використовується для пайки мідних, залужених та інших контактів радіодеталей. Робоча температура флюса 180-300 ° C.
Вага/Об’єм/К-сть: 2 ml
Пасте-гель
у наявності: 67 шт
58 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
5 шт
5 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.50 грн |
| 47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2430
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 5088 шт
4463 шт - склад
123 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
302 шт - РАДІОМАГ-Харків
123 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
302 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
10100 шт
100 шт - очікується
10000 шт - очікується
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.50 грн |
| 27+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 10000uF 50V ECR 25x50mm (ECR103M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2380
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 25х50mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 25х50mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 107 шт
88 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 78.00 грн |
| 10+ | 71.20 грн |
| 100+ | 64.50 грн |
| 1000uF 63V ECR 16x26mm (ECR102M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2358
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 67 шт
6 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
400 шт
400 шт - очікується 05.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| 100+ | 12.90 грн |
| VCR-14D431K (S14K275,TVR14431,GNR-14D431K) (варистор) Код товару: 2062
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 460 pF
Розмір: 14D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 460 pF
Розмір: 14D
у наявності: 307 шт
258 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
2140 шт
140 шт - очікується
2000 шт - очікується
2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |