Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQP34N20
FQP34N20

FQP34N20 onsemi / Fairchild

FQP34N20_D-1809753.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.79 грн
10+237.74 грн
100+166.26 грн
500+136.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP34N20 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP34N20 за ціною від 137.02 грн до 240.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP34N20 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP34N20 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.65 грн
8+145.30 грн
21+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20
Код товару: 100818
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20 Виробник : ON Semiconductor fqp34n20cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.