FQP3N25

FQP3N25 Fairchild Semiconductor


FAIRS20428-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 1025
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP3N25 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP3N25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP3N25 FQP3N25 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS20428-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 250V N-Channel QFET
товар відсутній