Продукція > ONSEMI > FQP3N30
FQP3N30

FQP3N30 ONSEMI

ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.22 грн
10+ 83.83 грн
100+ 61.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP3N30 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP3N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP3N30 Виробник : FAIRCHIL fqp3n30-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP3N30
Код товару: 173281 		fqp3n30-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQP3N30 FQP3N30 Виробник : ON Semiconductor fqp3n30.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP3N30 FQP3N30 Виробник : onsemi fqp3n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP3N30 FQP3N30 Виробник : onsemi / Fairchild FQP3N30_D-2314058.pdf MOSFET 300V N-Channel QFET
товар відсутній