Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP3N60

FQP3N60 Fairchild Semiconductor

Name: FQP3N60
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 11524252-3
Price: 22384.44 UAH
Availability: InStock

FAIRS06228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

на замовлення 45287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
468+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQP3N60 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQP3N60

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	FQP3N60			на замовлення 87090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
	FQP3N60	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.