FQP3N60C ON Semiconductor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3N60C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3N60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP3N60C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQP3N60C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
FQP3N60C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FQP3N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM |
товару немає в наявності |
|
|
|
FQP3N60C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |