Продукція > ONSEMI > FQP3N80C
FQP3N80C

FQP3N80C ONSEMI

1847582.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP3N80C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQP3N80C за ціною від 48.22 грн до 144.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP3N80C FQP3N80C Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 40533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
401+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 401
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C FQP3N80C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF3N80C_D-2313713.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.70 грн
10+129.13 грн
100+87.34 грн
500+73.02 грн
1000+56.73 грн
2000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C FQP3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C Виробник : ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP3N80C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.