на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
319+ | 76.02 грн |
500+ | 68.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3N90 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3N90 за ціною від 54.24 грн до 76.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP3N90 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 20245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQP3N90 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQP3N90 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FQP3N90 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQP3N90 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQP3N90 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQP3N90 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |