FQP3P20 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 422+ | 52.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3P20 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3P20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQP3P20 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
FQP3P20 Код товару: 173282
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
FQP3P20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
| FQP3P20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
FQP3P20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
FQP3P20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQP3P20 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 2.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 52 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
|
 |
FQP3P20 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V P-Channel QFET |
товару немає в наявності |