Продукція > ONSEMI > FQP45N15V2
FQP45N15V2

FQP45N15V2 onsemi


fqpf45n15v2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.94 грн
50+111.89 грн
100+101.07 грн
500+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP45N15V2 onsemi

Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQP45N15V2 за ціною від 82.20 грн до 236.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.88 грн
10+219.82 грн
100+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Виробник : onsemi / Fairchild fqpf45n15v2-d.pdf MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
на замовлення 16682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.32 грн
10+224.50 грн
25+106.42 грн
100+95.41 грн
250+94.67 грн
500+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2
Код товару: 147581
Додати до обраних Обраний товар

fqpf45n15v2-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Виробник : ON Semiconductor fqpf45n15v2jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Виробник : ON Semiconductor fqpf45n15v2jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Виробник : ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Виробник : ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.