
FQP45N15V2 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.94 грн |
50+ | 111.89 грн |
100+ | 101.07 грн |
500+ | 77.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP45N15V2 onsemi
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FQP45N15V2 за ціною від 82.20 грн до 236.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP45N15V2 Код товару: 147581
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 31A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 94nC Technology: QFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQP45N15V2 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 31A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 94nC Technology: QFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220AB |
товару немає в наявності |