Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP4N20
FQP4N20

FQP4N20 Fairchild Semiconductor

FAIRS18997-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 10753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
888+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 888
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP4N20 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP4N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP4N20 FQP4N20 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_1614425274146-1191887.pdf MOSFET 200V N-Channel QFET
товар відсутній