
FQP4N20L Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
548+ | 41.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP4N20L Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP4N20L за ціною від 34.94 грн до 132.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP4N20L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP4N20L | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP4N20L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP4N20L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQP4N20L | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQP4N20L | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 1758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FQP4N20L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FQP4N20L | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |