FQP4N20L

FQP4N20L Fairchild Semiconductor


FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
548+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP4N20L Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP4N20L за ціною від 33.09 грн до 130.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP4N20L FQP4N20L Виробник : onsemi / Fairchild FQP4N20L_D-1809811.pdf MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.04 грн
10+80.92 грн
100+54.41 грн
500+45.01 грн
1000+35.46 грн
2000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20L FQP4N20L Виробник : onsemi FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.90 грн
50+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20L Виробник : FAIRCHILD FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.