Продукція > FAIRCHILD > FQP4N80

FQP4N80 Fairchild

Виробник: Fairchild
07+

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQP4N80 Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP4N80

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQP4N80 Код товару: 162318 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQP4N80	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQP4N80	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQP4N80	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQP4N80	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQP4N80	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 800V N-Channel QFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQP4N80	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.