FQP4N80 ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.79 грн |
| 10+ | 76.18 грн |
| 12+ | 68.63 грн |
| 32+ | 65.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP4N80 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP4N80 за ціною від 76.59 грн до 106.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQP4N80 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQP4N80 | Виробник : Fairchild |
07+ |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
FQP4N80 Код товару: 162318 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
FQP4N80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FQP4N80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FQP4N80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FQP4N80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V N-Channel QFET |
товар відсутній |