Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQP55N10
FQP55N10

FQP55N10 ON Semiconductor

fqp55n10cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+114.89 грн
500+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP55N10 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FQP55N10 за ціною від 68.57 грн до 176.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP55N10 FQP55N10 Виробник : ONSEMI 2907436.pdf Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.83 грн
10+141.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10 Виробник : onsemi / Fairchild FQP55N10_D-2313776.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.81 грн
10+144.67 грн
100+100.05 грн
250+92.70 грн
500+91.96 грн
1000+77.98 грн
2000+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 Виробник : FAIRCHILD fqp55n10-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 Виробник : ON Semiconductor fqp55n10-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10
Код товару: 88644
Додати до обраних Обраний товар

fqp55n10-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10 Виробник : ON Semiconductor fqp55n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 Виробник : ON Semiconductor fqp55n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 Виробник : ONSEMI fqp55n10-d.pdf FQP55N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10 Виробник : onsemi fqp55n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.