FQP55N10 ON Semiconductor
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 266+ | 117.38 грн |
| 500+ | 112.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP55N10 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FQP55N10 за ціною від 70.86 грн до 199.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP55N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQP55N10 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FQP55N10 | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FQP55N10 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FQP55N10 Код товару: 88644
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
FQP55N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FQP55N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
FQP55N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FQP55N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; Idm: 220A; 155W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 220A |
товару немає в наявності |