Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQP55N10

FQP55N10

fqp55n10-d.pdf
Код товару: 88644
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP55N10 за ціною від 127.01 грн до 132.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP55N10 FQP55N10 ON Semiconductor fqp55n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+132.89 грн
500+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10 ONSEMI 2907436.pdf Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10 onsemi fqp55n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 ON Semiconductor fqp55n10-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 fqp55n10cn-d.pdf
FQP55N10
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+132.89 грн
500+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 2907436.pdf
FQP55N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
FQP55N10
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.