Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQP55N10
FQP55N10

FQP55N10

fqp55n10-d.pdf
Код товару: 88644
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP55N10 за ціною від 65.69 грн до 213.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP55N10 FQP55N10 onsemi / Fairchild FQP55N10_D-2313776.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.39 грн
10+138.60 грн
100+95.86 грн
250+88.81 грн
500+88.10 грн
1000+74.71 грн
2000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10 ONSEMI 2907436.pdf Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.80 грн
10+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 ON Semiconductor fqp55n10-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 FQP55N10_D-2313776.pdf
FQP55N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.39 грн
10+138.60 грн
100+95.86 грн
250+88.81 грн
500+88.10 грн
1000+74.71 грн
2000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 2907436.pdf
FQP55N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+213.80 грн
10+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.