
FQP5N50C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 53325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
634+ | 35.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP5N50C Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP5N50C за ціною від 39.23 грн до 41.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP5N50C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FQP5N50C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FQP5N50C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 7206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FQP5N50C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 35200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
FQP5N50C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FQP5N50C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FQP5N50C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |