FQP5N60C Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 342+ | 63.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP5N60C Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP5N60C за ціною від 59.02 грн до 66.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQP5N60C | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQP5N60C | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQP5N60C | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQP5N60C | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FQP5N60C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQP5N60C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQP5N60C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товару немає в наявності |