FQP6N40C ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 27.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP6N40C ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FQP6N40C за ціною від 47.23 грн до 131.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP6N40C | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQP6N40C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQP6N40C | Виробник : FAIRCHILD |
TO-220 |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FQP6N40C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FQP6N40C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.6A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FQP6N40C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.6A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 24A |
товару немає в наявності |