Продукція > ONSEMI > FQP6N80C
FQP6N80C

FQP6N80C ONSEMI

ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.18 грн
10+135.84 грн
100+109.81 грн
500+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP6N80C ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP6N80C за ціною від 48.74 грн до 219.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.65 грн
5+146.87 грн
10+128.41 грн
50+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.00 грн
50+92.15 грн
100+90.49 грн
500+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : onsemi fqpf6n80c-d.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.63 грн
10+108.25 грн
100+85.06 грн
500+70.42 грн
1000+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C Виробник : ON-Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C
Код товару: 129953
Додати до обраних Обраний товар

fqpf6n80c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : onsemi / Fairchild EA25B2224457E7464757857084BED07B936EA551403A7BE8D2BF9BB197627E4B.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.