Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQP6N80C
FQP6N80C

FQP6N80C ON Semiconductor

fqpf6n80c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP6N80C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP6N80C за ціною від 47.00 грн до 277.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+172.00 грн
10+149.60 грн
100+120.94 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.37 грн
50+101.49 грн
100+99.66 грн
500+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C Виробник : ON-Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C Виробник : ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf FQP6N80C THT N channel transistors
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.35 грн
10+127.77 грн
26+120.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C
Код товару: 129953
Додати до обраних Обраний товар

fqpf6n80c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : onsemi / Fairchild EA25B2224457E7464757857084BED07B936EA551403A7BE8D2BF9BB197627E4B.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C Виробник : onsemi EA25B2224457E7464757857084BED07B936EA551403A7BE8D2BF9BB197627E4B.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.