Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQP6N80C

FQP6N80C

fqpf6n80c-d.pdf
Код товару: 129953
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP6N80C за ціною від 48.76 грн до 214.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP6N80C FQP6N80C ON-Semiconductor TFQP6n80c_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.41 грн
10+134.16 грн
50+103.16 грн
100+87.43 грн
500+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.46 грн
10+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.86 грн
10+149.78 грн
100+101.92 грн
1000+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C TFQP6n80c_0001.pdf
FQP6N80C
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.41 грн
10+134.16 грн
50+103.16 грн
100+87.43 грн
500+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.46 грн
10+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.86 грн
10+149.78 грн
100+101.92 грн
1000+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.