FQP6N90C ON Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
121+ | 102.09 грн |
126+ | 97.52 грн |
250+ | 93.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP6N90C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP6N90C за ціною від 114.67 грн до 114.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP6N90C | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQP6N90C Код товару: 128174 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
FQP6N90C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||
FQP6N90C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||
FQP6N90C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
FQP6N90C | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товар відсутній |