FQP7N80C ON Semiconductor
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 167.56 грн |
| 10+ | 144.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP7N80C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP7N80C за ціною від 88.57 грн до 201.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP7N80C | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQP7N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQP7N80C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; 167W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.2A Power dissipation: 167W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQP7N80C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQP7N80C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; 167W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.2A Power dissipation: 167W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |