Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQP85N06

FQP85N06

fqp85n06-d.pdf
Код товару: 163330
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP85N06 за ціною від 93.18 грн до 248.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP85N06 FQP85N06 ON Semiconductor fqp85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 ON Semiconductor fqp85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.30 грн
2000+118.73 грн
5000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 ON Semiconductor fqp85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.94 грн
10+226.97 грн
25+223.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 ONSEMI 2304200.pdf Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 ON Semiconductor fqp85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 fqp85n06jp-d.pdf
FQP85N06
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 fqp85n06jp-d.pdf
FQP85N06
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.30 грн
2000+118.73 грн
5000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 fqp85n06jp-d.pdf
FQP85N06
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+248.94 грн
10+226.97 грн
25+223.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 2304200.pdf
FQP85N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 fqp85n06jp-d.pdf
FQP85N06
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.