Продукція > ONSEMI > FQP85N06
FQP85N06

FQP85N06 ONSEMI

2304200.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.07 грн
10+208.40 грн
100+173.39 грн
500+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP85N06 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP85N06

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP85N06
Код товару: 163330
Додати до обраних Обраний товар

fqp85n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 Виробник : ON Semiconductor fqp85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 Виробник : onsemi fqp85n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 Виробник : onsemi / Fairchild FQP85N06_D-2313679.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.