Інші пропозиції FQP85N06 за ціною від 132.49 грн до 236.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP85N06 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 85 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQP85N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FQP85N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |