Продукція > ONSEMI > FQP8N80C
FQP8N80C

FQP8N80C onsemi

FQPF8N80C-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.42 грн
10+183.56 грн
50+142.72 грн
100+121.61 грн
500+100.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP8N80C onsemi

Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 178W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm.

Інші пропозиції FQP8N80C за ціною від 146.69 грн до 405.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP8N80C FQP8N80C ON Semiconductor fqpf8n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.25 грн
54+263.86 грн
69+205.19 грн
100+179.64 грн
500+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C ON Semiconductor fqpf8n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.80 грн
10+267.52 грн
50+208.04 грн
100+182.13 грн
500+148.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C onsemi FQPF8N80C-D.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C ON Semiconductor FQPF8N80C-D.pdf
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C fqpf8n80c-d.pdf
FQP8N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+400.25 грн
54+263.86 грн
69+205.19 грн
100+179.64 грн
500+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C fqpf8n80c-d.pdf
FQP8N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+405.80 грн
10+267.52 грн
50+208.04 грн
100+182.13 грн
500+148.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQPF8N80C-D.pdf
FQP8N80C
Виробник: onsemi
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP8N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQPF8N80C-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.