Продукція > ONSEMI > FQP8N80C
FQP8N80C

FQP8N80C onsemi

FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.84 грн
50+163.80 грн
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP8N80C onsemi

Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQP8N80C за ціною від 99.40 грн до 281.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP8N80C FQP8N80C Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.03 грн
10+143.19 грн
100+118.47 грн
500+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+281.89 грн
10+237.87 грн
100+145.60 грн
500+114.76 грн
1000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf8n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C Виробник : Fairchild FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C Виробник : FSC FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C Виробник : ON Semiconductor FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf8n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C Виробник : ONSEMI FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP8N80C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.