
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.75 грн |
10+ | 211.51 грн |
25+ | 174.36 грн |
100+ | 150.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP8N90C onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP8N90C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FQP8N90C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FQP8N90C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQP8N90C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |