Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP9N25
FQP9N25

FQP9N25 Fairchild Semiconductor

FAIRS05673-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
650+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 650
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP9N25 Fairchild Semiconductor

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP9N25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP9N25 FQP9N25 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS05673-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET
товар відсутній