
FQP9N30 onsemi

Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.63 грн |
10+ | 125.83 грн |
100+ | 101.12 грн |
500+ | 77.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP9N30 onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP9N30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FQP9N30 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
FQP9N30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
FQP9N30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
FQP9N30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
FQP9N30 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FQP9N30 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |