FQP9N30 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.81 грн |
| 10+ | 122.53 грн |
| 100+ | 98.46 грн |
| 500+ | 75.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP9N30 onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQP9N30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FQP9N30 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 300V N-Channel QFET |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQP9N30 |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 300V N-Channel QFET
MOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)