Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQP9N50C
FQP9N50C

FQP9N50C ON Semiconductor

fqp9n50c.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+97.42 грн
10+ 87.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP9N50C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP9N50C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP9N50C FQP9N50C Виробник : ON Semiconductor fqp9n50c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP9N50C FQP9N50C Виробник : onsemi FQPF9N50C.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP9N50C FQP9N50C Виробник : onsemi / Fairchild FQP9N50C_D-2313993.pdf MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній