Продукція > FAIR > FQPF10N20

FQPF10N20 FAIR


FQPF10N20.pdf
Виробник: FAIR
TO-220
на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF10N20 FAIR

Description: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції FQPF10N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF10N20 FQPF10N20 Виробник : onsemi FQPF10N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20 FQPF10N20 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_1614433242275-1191878.pdf MOSFET 200V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.