Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQPF10N20C
FQPF10N20C

FQPF10N20C ON Semiconductor

fqpf10n20c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
479+73.02 грн
533+65.72 грн
1000+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF10N20C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQPF10N20C за ціною від 32.06 грн до 110.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF10N20C FQPF10N20C Виробник : ON Semiconductor fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
479+73.02 грн
533+65.72 грн
1000+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20C FQPF10N20C Виробник : ON Semiconductor fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
479+73.02 грн
533+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20C FQPF10N20C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF10N20C_D-1809686.pdf MOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.59 грн
10+76.14 грн
100+51.79 грн
500+43.91 грн
1000+35.75 грн
2000+33.66 грн
5000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20C FQPF10N20C Виробник : onsemi FQPF10N20C-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.