FQPF10N20C ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 479+ | 73.84 грн |
| 533+ | 66.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
479 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF10N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 9.5, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQPF10N20C за ціною від 61.29 грн до 73.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF10N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FQPF10N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 9.5 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FQPF10N20C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch MOSFET |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQPF10N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 479+ | 73.84 грн |
| 533+ | 66.46 грн |
| 1000+ | 61.29 грн |
| FQPF10N20C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQPF10N20C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch MOSFET
MOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





