Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQPF11N50CF
FQPF11N50CF

FQPF11N50CF ON Semiconductor

fqpf11n50cf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF11N50CF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FQPF11N50CF за ціною від 82.42 грн до 149.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF11N50CF FQPF11N50CF ON Semiconductor fqpf11n50cf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FQPF11N50CF Fairchild Semiconductor FAIRS46439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FQPF11N50CF ON Semiconductor fqpf11n50cf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FQPF11N50CF ON Semiconductor fqpf11n50cf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FQPF11N50CF onsemi FAIRS46439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf11n50cf-d.pdf MOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FQPF11N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003585071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF fqpf11n50cf-d.pdf
FQPF11N50CF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FAIRS46439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF11N50CF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF fqpf11n50cf-d.pdf
FQPF11N50CF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF fqpf11n50cf-d.pdf
FQPF11N50CF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF FAIRS46439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf11n50cf-d.pdf
FQPF11N50CF
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CF ONSM-S-A0003585071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF11N50CF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.