на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.30 грн |
| 10+ | 108.88 грн |
| 100+ | 75.59 грн |
| 500+ | 64.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF11P06 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF11P06 за ціною від 67.05 грн до 118.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220FDrain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
FQPF11P06 THT P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
FQPF11P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FQPF11P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |