
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.32 грн |
10+ | 98.47 грн |
100+ | 76.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF11P06 onsemi
Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 8.6, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 30, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQPF11P06 за ціною від 64.36 грн до 123.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF11P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
FQPF11P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |