Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQPF11P06
FQPF11P06

FQPF11P06 onsemi / Fairchild

FQPF11P06_D-1809842.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.99 грн
10+113.02 грн
100+78.47 грн
500+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF11P06 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF11P06 за ціною від 69.60 грн до 123.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF11P06 Виробник : ONSEMI fqpf11p06-d.pdf Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.07 грн
10+110.25 грн
100+88.03 грн
500+69.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06 FQPF11P06 Виробник : ON Semiconductor fqpf11p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06 FQPF11P06 Виробник : onsemi fqpf11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.