
FQPF13N50CF ONSEMI

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 256.66 грн |
7+ | 137.17 грн |
18+ | 129.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF13N50CF ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції FQPF13N50CF за ціною від 91.31 грн до 309.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF13N50CF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQPF13N50CF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQPF13N50CF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FQPF13N50CF Код товару: 161545
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FQPF13N50CF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF13N50CF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |