Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF15P12 onsemi
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120, Dauer-Drainstrom Id: 15, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 41, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 41, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQPF15P12
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF15P12 | onsemi |
 MOSFETs 120V P-Channel QFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FQPF15P12 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FQPF15P12 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQPF15P12 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 120V P-Channel QFET
MOSFETs 120V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF15P12 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF15P12 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.