FQPF17P06 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 412+ | 50.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF17P06 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF17P06 за ціною від 58.09 грн до 81.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
на замовлення 7029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF17P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQPF17P06 | Виробник : FSC |
|
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
FQPF17P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220FSupplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
товару немає в наявності |

