Продукція > ONSEMI > FQPF19N10
FQPF19N10

FQPF19N10 onsemi

FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
489+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 489
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF19N10 onsemi

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF19N10 за ціною від 37.52 грн до 93.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
582+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 582
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor 3661625296261698fqpf19n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.95 грн
10+ 69.88 грн
100+ 43.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF19N10_D-2313941.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.24 грн
10+ 82.04 грн
100+ 55.35 грн
500+ 40.75 грн
1000+ 38.51 грн
2000+ 38.18 грн
10000+ 37.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF19N10 Виробник : Fairchild FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf19n10-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF19N10 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf19n10-d.pdf 06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor 3661625296261698fqpf19n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf19n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 54.4A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : onsemi fqpf19n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товар відсутній
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf19n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 54.4A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
товар відсутній