Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF19N10
FQPF19N10

FQPF19N10 Fairchild Semiconductor

FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF19N10 Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF19N10 за ціною від 39.60 грн до 98.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+57.12 грн
1000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+57.12 грн
1000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+59.92 грн
17+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : onsemi FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF19N10_D-2313941.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.43 грн
10+86.60 грн
100+58.43 грн
500+43.02 грн
1000+40.65 грн
2000+40.30 грн
10000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+77.39 грн
500+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Drain current: 9.6A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 54.4A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.