Продукція > ONSEMI > FQPF19N10
FQPF19N10

FQPF19N10 onsemi

FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
489+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF19N10 onsemi

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF19N10 за ціною від 36.79 грн до 103.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+49.09 грн
17+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+54.00 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+54.00 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF19N10_D-2313941.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.85 грн
10+91.37 грн
100+61.65 грн
500+45.39 грн
1000+42.89 грн
2000+42.52 грн
10000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 Виробник : Fairchild FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ON Semiconductor 3661625296261698fqpf19n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 Виробник : ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.