Продукція > ONSEMI > FQPF19N20
FQPF19N20

FQPF19N20 onsemi

FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 10107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF19N20 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF19N20 за ціною від 78.54 грн до 187.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF19N20_D-2313680.pdf MOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.97 грн
10+166.67 грн
25+136.84 грн
100+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 Виробник : FAIRCHILD FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ON Semiconductor fqpf19n20jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ONSEMI FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : onsemi FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 Виробник : ONSEMI FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.