
FQPF19N20C ON Semiconductor
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 49.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF19N20C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF19N20C за ціною від 45.02 грн до 169.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 12.1A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: QFET® Kind of channel: enhancement |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 12.1A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: QFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |