Технічний опис FQPF19N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 19, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FQPF19N20C за ціною від 63.97 грн до 176.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF19N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQPF19N20C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 12.1A Power dissipation: 43W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQPF19N20C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQPF19N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FQPF19N20C | onsemi |
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 3756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 114.33 грн |
| 168+ | 84.34 грн |
| 500+ | 73.47 грн |
| 1000+ | 65.16 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.29 грн |
| 5+ | 101.25 грн |
| 10+ | 75.31 грн |
| 50+ | 64.43 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.50 грн |
| 50+ | 71.32 грн |
| 100+ | 63.97 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 176.33 грн |
| 151+ | 93.71 грн |
| 164+ | 86.44 грн |
| 500+ | 67.07 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






