на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 168+ | 181.56 грн |
| 500+ | 173.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF22N30 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF22N30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQPF22N30 |
 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
FQPF22N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQPF22N30 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 56W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
FQPF22N30 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FQPF22N30 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 300V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
FQPF22N30 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 56W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |