Продукція > FAIRCHILD > FQPF22N30

FQPF22N30 FAIRCHILD

fqpf22n30-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+170.90 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 207 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF22N30 FAIRCHILD

Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF22N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF22N30 FQPF22N30 onsemi fqpf22n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 FQPF22N30 onsemi / Fairchild FQPF22N30_D-2313751.pdf MOSFET 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 FQPF22N30 ONSEMI fqpf22n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 fqpf22n30-d.pdf
FQPF22N30
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 FQPF22N30_D-2313751.pdf
FQPF22N30
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 fqpf22n30-d.pdf
FQPF22N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.