FQPF27N25 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.18 грн |
| 50+ | 151.63 грн |
| 100+ | 137.81 грн |
| 500+ | 106.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF27N25 onsemi
Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 14, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 55, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 55, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FQPF27N25
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF27N25 | onsemi |
MOSFETs 250V N-Channel QFET |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FQPF27N25 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Channel QFET |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |